Ulis 2011 Ultimate Integration on Siliconсборник

Статьи, опубликованные в сборнике

---

• • 2011 20nm Gate length Schottky MOSFETs with ultra thin NiSi/epitaxial NiSi<inf>2</inf> source/drain
  • Knoll L., Zhao Q.T., Luptak R., Trellenkamp S., Bourdelle K.K., Mantl S.
  • в сборнике Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon, место издания IEEE DOI