|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Vertical-Cavity Lasers/Technologies for a Global Information Infrastructure/WDM Components Technology/Advanced Semiconductor Lasers and Applications/Gallium Nitride Materials, Processing, and Devicesконференция
- Даты проведения: 1997
- Место проведения: Montreal, Que.
-
Описание конференции:
IEEE/LEOS Summer Topical Meetings, 11-15 Aug. 1997
- Добавил в систему: Городецкий Михаил Леонидович
Доклады:
- 1997 A diode laser with an external high-Q microcavity
- Авторы: Васильев В.В., Velichansky V.L., Ilchenko V.S., Hollberg L., Городецкий М.Л., Yarovitsky A.V.