ИСТИНА

• Даты проведения: 2012
• Место проведения: Россия, Москва, Национальный Исследовательский Ядерный Университет МИФИ, Russia
• Описание конференции:

  Продолжение традиционных Конференций в память чл.корр. РАН В.Г.Мокерова. Число участников - около 100. Основные доклады - по наногетероструктурам соединений типа AIIIBV для СВЧ-электроники. В этом году была добавлена секция оптоэлектронных устройств на на основе этих структур; приглашенный доклад автора открывал эту секцию.

• Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович

Доклады:

• 2012 Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
• Авторы: Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Боков П.Ю., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Галиев Г.Б.

• 2012 Светодиоды на основе наногетероструктур InGaN/AlGaN/GaN - итоги исследований и разработок последнего десятилетия (обзор)
• Автор: Юнович А.Э.