ИСТИНА

Целью работы является прецизионное исследование степени порядка в структуре оксидных пленок, сформированных анодированием монокристаллов алюминия, с использованием малоугловой дифракции синхротронного излучения. В работе установлено, что минимальная мозаичность пористой структуры достигается для пленок АОА, выращенных на подложках Al (111), при этом ряды пор в плоскости пленки ориентируются вдоль направлений семейства {110}. При использовании подложек Al (110) мозаичность увеличивается, а в случае Al (100) выделенное направление ориентации рядов пор отсутствует. При этом средняя разориентация пор вдоль направления их роста не превышает 1°. Направление роста пористой структуры на гранях монокристалла, скошенных от плоскости (100) на малые углы определяется наличием двух конкурирующих факторов: электромиграцией заряженных частиц перпендикулярно поверхности подложки в процессе анодирования и наличием в структуре устойчивых к окислению кристаллографических плоскостей <010> и <001>. Это приводит к наличию двух направлений роста пор в структуре пористых пленок АОА, разориентированных друг относительно друга на угол ~0,3°. Таким образом, различие скоростей окисления металла в разных кристаллографических направлениях является ключевым фактором, влияющим на структуру пористых оксидных пленок.