ИСТИНА

Твердые тонкие пленки получают все более широкое применение в современном мире. В частности, пленки из диоксида кремния широко используется в технологии изготовления интегральных микросхем: для создания масок, используемых при проведении локальных технологических процессов, создания изолирующих слоев и формирования подзатворного диэлектрика [1]. Определение и контроль структурных характеристик таких пленок является важной технологической задачей – в зависимости от плотности, состава и толщины пленки диоксида кремния меняются их свойства и применяемые технологические подходы для модификации данных пленок. Единственным методом неразрушающего локального анализа, который позволяет одновременно определять толщину, плотность и состав анализируемого объекта, является метод локального рентгеноспектрального микроанализа. В современной литературе описан ряд методик, позволяющих определять толщины твердых тонких пленок. В данной работе представлен подход, основанный на комбинации двух методик, позволяющий помимо состава и толщины анализируемой пленки, определять ее плотность [2-3]. Учитывая диэлектрическую природу диоксида кремния, в работе проведено определение структурных характеристик пленок диоксида кремния в диапазоне толщин от 200 до 1000 нм в присутствии токопроводящих покрытий из вольфрама различной толщины (1-10 нм). Показано, что метод введения эффективного слоя позволяет с высокой точностью учитывать наличие токопроводящего покрытия даже при критических значениях перенапряжения (от 1.5 до 3 для Кɑ линии Si). При этом, наличие токопроводящего покрытия из W толщиной всего 1 нм позволяет нивелировать эффект заряжения поверхности исследуемого образца и сохранить точность определения толщины и состава анализируемой пленки на высоком уровне.