ИСТИНА

К настоящему времени опубликовано значительное число исследований анизотропии двумерного углового распределения атомов, распыленных с поверхности низкоиндексных граней монокристалла под действием ионной бомбардировки, являющейся одним из сложных эффектов, отражающих анизотропию структуры поверхности кристаллов. Картина углового распределения распыленных атомов чувствительна к типу облучаемой ионами грани кристалла. Важным в теории распыления является вопрос, какой механизм является ответственным за формирование особенностей двумерного углового распределения атомов, распыленных с поверхности монокристалла, в том числе с разрешением по энергии. В проекте “Исследование механизмов эмиссии атомов с поверхности монокристаллов” исследуется вклад фокусированных и перефокусированных атомов в формирование распределений распыленных атомов по углам и энергии, изучается вопрос о выделении перефокусированных атомов в общем сигнале эмитированных атомов. Также изучаются изменения распределения распыленных атомов с разрешением по углам и энергии при переходе грани (001) Ni из парамагнитного состояния в ферромагнитное. С помощью компьютерного моделирования методом молекулярной динамики исследованы особенности фокусировки и перефокусировки атомов, распыленных с поверхности грани (001) Ni. Показано, что при переходе кристалла из парамагнитного в ферромагнитное состояние наблюдается уменьшение числа фокусированных и перефокусированных распыленных атомов. Изучена эволюция распределений распыленных атомов с одновременным разрешением по энергии и полярному углу при изменении азимутального угла и энергии связи атомов на поверхности. Для решения перечисленных выше задач, из-за их вычислительной сложности, использование суперкомпьютерной техники является необходимым условием получения новых результатов.