ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ФНКЦ РР |
||
Влияния одноосного сжатия до давления Р = 3,5 кбар вдоль направления [110] на сопротивление, эффект Холла и осцилляции магнетосопротивления двумерных электронов в высококачественных гетероструктурах n GaAs/Al0.29Ga0.71As:Si было исследовано в темноте и в режиме задержанной фотопроводимости при температуре Т = 1,7 К.