ИСТИНА

Исследования релаксации темновой проводимости в легированных пленках a-Si:H после выключения освещения при повышенных температурах показали, что в дополнение к обычной релаксации, определяемой отжигом метастабильных фотоиндуцированных оборванных связей, наблюдается медленный релаксационный процесс уменьшения проводимости. Этот процесс описывается растянутой экспонентой и определяется отжигом медленных метастабильных дефектов (ММД). Образование и отжиг ММД имеют аномальные характеристики. Исследована зависимость распределения энергий отжига ММД от времени, интенсивности и температуры освещения. Для описания образования и релаксации ММД использовалась трехуровневая конфигурационная диаграмма с коррелированными энергиями активации для этих процессов. Проведен анализ типов конфигурационных диаграмм.