ИСТИНА

Мы рассматриваем бимолекулярную рекомбинацию носителей заряда в аморфных органических полупроводниках, имеющих особый вид энергетического беспорядка, где энергетические уровни для электронов и дырок в данном транспортном узле движутся в одном направлении с изменением некоторого параметра, определяющего беспорядок (параллельный беспорядок). Этот особый вид беспорядка можно найти в материалах, где доминирующая часть энергетического беспорядка обеспечивается конформационным беспорядком. В отличие от недавно изученного случая электростатического расстройства, конформационное расстройство, если оно пространственно коррелируется, приводит к увеличению константы скорости рекомбинации, которая становится больше соответствующей константы скорости Ланжевена. Вероятно, органические полупроводники с доминирующим конформационным беспорядком представляют собой первый класс аморфных органических полупроводников, где константа скорости рекомбинации могла бы преодолеть предел Ланжевена.