ИСТИНА

Предложена модель и получены аналитические выражения [1-3] для проводимости в гетерогенных анизотропных проводниках с эллипсоидными сверхпроводящими включениями в рамках классического максвелловского приближения эффективной среды, применимого при малой объемной доли сверхпроводящей фазы. В рамках такой модели найдено и количественно описано общее свойство: если сверхпроводимость в сильно анизотропном проводнике зарождается в виде изолированных сверхпроводящих островков, она уменьшает электрическое сопротивление анизотропно с максимальным эффектом вдоль оси с наименьшей проводимостью. Результаты применены для анализа экспериментальных данных в слоистых высокотемпературных сверхпроводниках FeSe и YBa2Cu4O8 и в органическом сверхпроводнике.