Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Разработка GaN оптоэлектронных компонентов с использованием жертвенного слоя AlInN на примере: микродисков, РБО (DBR) и вертикально излучающих лазеров (VCSEL).
доклад на конференции
Автор:
Алтухов А.В.
Всероссийская Конференция (Семинар (workshop)) :
Научный семинар ФКС #153
Даты проведения конференции:
3 декабря 2019
Дата доклада:
3 декабря 2019
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Алтухов А.В.
Место проведения:
Москва, Russia
Добавил в систему:
Алтухов Алексей Валерьевич