|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
UV Photoabsorption for low-lying electronic states of silicon monoxideдоклад на конференции
- Авторы: Palov A.P., Sycheva A.A.
- Международная Конференция : International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Molecules, Clusters and Surfaces (MPS2016)
- Даты проведения конференции: 23-26 августа 2016
- Дата доклада: 24 августа 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
Current research aimed to perform the photoabsorbtion calculations for the first excited 1Σ+ state of SiO in order to compare and analyze obtained results and for the second excited state. Besides, the SiO photodissociation cross sections were computed for v=0,1,2,3 as only low vibrational states of are important for modeling of SiO molecular balance.
- Добавил в систему: Сычева Анастасия Александровна