Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Surface planarization of silicon carbide by sccelerated cluster ions
доклад на конференции
Авторы:
Павлова Е.П.
,
Каргин Н.И.
,
Иешкин А.Е.
,
Рындя С.М.
,
Гусев А.С.
Международная Конференция :
XIII International Conference on Nanostructured Materials
Даты проведения конференции:
7 августа - 12 сентября 2016
Дата доклада:
9 августа 2016
Тип доклада:
Стендовый
Докладчик:
не указан
не указан
Павлова Е.П.
Каргин Н.И.
Иешкин А.Е.
Рындя С.М.
Гусев А.С.
Место проведения:
Quebec, Canada
Добавил в систему:
Иешкин Алексей Евгеньевич