|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
ГЕНЕРАЦИЯ ТЕРАГЕРЦЕВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЁНКАХ InGaAs ПРИ ФЕМТОСЕКУНДНОЙ ЛАЗЕРНОЙ НАКАЧКЕ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 1.56 МКМдоклад на конференции
- Авторы: Кузнецов К.А., Галиев Г.Б., Китаева Г.Х., Корниенко В.В., Пушкарёв С.С., Климов Е.А.
- Всероссийская Конференция : Вторая Всероссийская конференция “Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника”
- Даты проведения конференции: 28 сентября - 30 октября 2016
- Дата доклада: 30 сентября 2016
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Кузнецов К.А.
- Место проведения: ФИАН им. П.Н. Лебедева, Russia
-
Аннотация доклада:
Исследована генерация терагерцового излучения в эпитаксиальных пленках In0.53Ga0.47As/InP, выращенных в низкотемпературном режиме (low temperature growth– LTG) . LTG-InGaAs структуры были получены на подложках InP с ориентациями (100) и впервые (411)А при Tg = 200 °C и различных давлениях мышьяка. Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и структурные особенности с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифракции. Спектры терагерцового излучения, генерируемого эпитаксиальными плёнками LT-InGaAs, исследовались методом терагерцовой спектроскопии с временным разрешением (ТСВР) при накачке волоконным фемтосекундным лазером с длиной волны 1.56 мкм. Показано, что эффективность генерации излучения слоями LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3–5 раз эффективнее, чем на подложках InP (100). При разработке излучающих терагерцовых антенн в ТГц и ГГц диапазонах использование подложек InP с ориентацией (411)A может оказаться более предпочтительным для получения LT-InGaAs.
- Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
- Добавил в систему: Кузнецов Кирилл Андреевич