Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Фотоэлектромагнитный эффект в топологических кристаллических изоляторах Pb1-xSnxTe
доклад на конференции
Авторы:
Галеева А.В.
,
Казаков А.С.
,
Иконников А.В.
,
Артамкин А.И.
,
Белов Д.А.
,
Рябова Л.И.
,
Volobuev V.V.
,
Springholz G.
,
Хохлов Д.Р.
Международная Конференция (Симпозиум) :
XXIV международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Даты проведения конференции:
10-13 марта 2020
Дата доклада:
11 марта 2020
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
Хохлов Д.Р.
не указан
Галеева А.В.
Казаков А.С.
Иконников А.В.
Артамкин А.И.
Белов Д.А.
Рябова Л.И.
Volobuev V.V.
Springholz G.
Хохлов Д.Р.
Место проведения:
Нижний Новгород, Russia
Добавил в систему:
Хохлов Дмитрий Ремович