ИСТИНА

С развитием космической отрасли существенно повышаются и требования к электронике, что приводит к ее существенному усложнению и миниатюризации. Однако подобная модернизация электроники требует все более тщательного контроля за ее радиационной стойкостью, в том числе стойкостью к одиночным эффектам. Существующие методы исследования стойкости электроники к одиночным эффектам основаны на применении лазерных имитаторов и ускорителей тяжелых ионов малых энергий. Хотя оба подхода не лишены недостатков, в совокупности они позволяют решить задачи по исследованию и сертификации новых изделий электронной промышленности. Предлагаемый авторами подход основан на использовании трековой системы, хорошо известной в экспериментальной физике высоких энергий, для восстановления места воздействия тяжелого ядра в исследуемом изделии. Предложенная трековая аппаратура представляет собой набор стриповых кремниевых детекторов с шагом стрипов 1мм и 100мкм, что позволит локализовать точку попадания частицы-снаряда в образец с точностью до десятков микрометров. Аппаратура будет реализована в стенде СОДИТ по исследованию радиационной стойкости интегральных микросхем на ускорителе НУКЛОТРОН (ОИЯИ).