![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Различными группами исследователей накоплен экспериментальный материал, свидетельствующий о спин-поляризованном состоянии носителей заряда в разбавленных магнитных полупроводниках, содержащих ферромагнитные кластеры вторичной фазы при комнатной температуре в отсутствие дальнего магнитного порядка в образце. Эти эксперименты позволяют развить совершенно новый подход к созданию и управлению спиновой поляризацией носителей заряда в разбавленных магнитных полупроводниках с помощью ферромагнитных кластеров, внедренных в полупроводник. В настоящей работе созданы условия для исследования фундаментальных закономерностей дырочного в его взаимосвязи с перколяционным магнетизмом, обусловленным носителями заряда, одновременно участвующих в формировании магнитных и электрических свойств ионно-имплантированных тонких пленок Ge:Mn, содержащих кластеры Mn5Ge3. Ранее нами было установлено, что при темпаратурах T < 10 К в образцах происходит ферромагнитное упорядочене по перколяционному сценарию [1]. Исследование транспортных явлений в системах с перколяционным ферромагнетизмом является новой фундаментальной задачей. Установлено, что электронно-транспортные свойства образцов Ge:Mn (2 ат.% Mn) обусловлены конкуренцией зонного и прыжкового механизмов. При высоких температурах (T > 22 К) доминирующим механизмом является безактивационный зонный перенос дырок с рассеянием на акустических фононах. При низких температурах имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Значения радиуса локализации дырок, определенные в настоящей работе из данных по электропроводности, и полученные ранее из магнитных данных, оказались близки. Что является подтверждением перколяционного сценария ферромагнитного упорядочения в тонких пленках Ge:Mn. Работа поддержана грантом Президента РФ МК-5754.2016.3. 1. R.B. Morgunov et al., Phys. Rev. B 80, 085205 (2009).