ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ФНКЦ РР |
||
Показано, что в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe свойства двумерных топологических состояний, образующихся на гетерогранице тривиальный буфер - топологическая пленка, отличаются от состояний на границе топологическая пленка - вакуум, причем за появление РТ-симметричной фотопроводимости отвечают состояния на гетерогранице тривиальный буфер - топологическая пленка. Показано, что источником неравновесных электронов является объем пленки, а местом проявления эффекта является гетерограница тривиальный буфер - топологическая пленка.