|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Моделирование квантового выхода вторичных электронов в области L23 краев поглощения Si в условиях зеркального отражения от структуры SiO2/Si/SiO2доклад на конференции
- Авторы: Андреева М.А., Домашевская Э.П., Турищев С.Ю., Терехов В.А., Одинцова Е.Е.
- Конференция : «Рентгеновская оптика — 2010» (г. Черноголовка, 20-23 сентября 2010 г.)
- Даты проведения конференции: 2010
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Одинцова Е.Е.
- Добавил в систему: Андреева Марина Алексеевна