ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ФНКЦ РР |
||
В настоящее время актуальна проблема реверсивного инженеринга. Например, в микроэлектронике необходимо определить тип легирующего элемента и его процентное содержание в каждом блоке из которого построен чип. Обычно для этого используют методы послойного анализа, которые позволяют определять не только дефекты производства, но и восстанавливать архитектуру микросхем. Одним из таких методов является Оже электронная спектроскопия с использованием послойного ионного травления. В результате проведения эксперимента исследователь получает спектр, содержащий информацию обо всех химических элементах в пределах точки анализа. На данный момент обработка экспериментальных данных проводится вручную, что достаточно трудоемко и времязатратно. Особенно остро эта проблема стоит при анализе элементного состава по глубине образца, когда необходимо получить и проанализировать спектр после каждого этапа ионного травления. Часто стоит задача анализа химического состава не только по глубине, но и по площади образца, тогда количество спектров, которые необходимо обработать может возрасти на порядок. В этом случае фактор скорости обработки эксперимента является определяющим, что обуславливает необходимость разработки автоматизированного программного комплекса для количественного анализа химического состава по Оже электронным спектрам, который позволит решить проблему времязатратности обработки экспериментальных данных. Данная работа посвящена разработке программного комплекса для количественного анализа химического состава по Оже электронным спектрам. Результатом работы программы является определение относительной концентрации химических элементов, зарегистрированных в Оже электронном спектре. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ №121030100002-0. Исследования выполняли с использованием оборудования ЦКП «Центр физических и физико-химических методов анализа, исследования свойств и характеристик поверхности, наноструктур, материалов и изделий» УдмФИЦ УрО РАН.