ИСТИНА

Мемристоры-это двух-электродные устройства, резистивные состояния которых изменяются при прохождении через них заряда, и эти состояния энерго-независимы. По сравнению с 3D материалами, на которых был открыт эффект резистивного переключения, 2D материалы, такие как оксид графена (GO) и дисульфид молибдена (MoS2), позволяют создавать атомарно-тонкие структуры и использовать их уникальные структурные, электрические и оптические свойства. Двумерные материалы могут быть модифицированы с помощью углеродных наночастиц (УНЧ), что дает возможность эффективно контролировать резистивные состояния с помощью света.