ИСТИНА

Мемристоры-это двухэлектродные устройства, резистивные состояния которых изменяются при прохождении через них заряда, и эти состояния энергонезависимы. 2D материалы, такие как оксид графена (ОГ), позволяют создавать атомарно-тонкие гетерогенные структуры на основе Ван-дер-Ваальсовых взаимодействий с уникальными электрическими и оптическими свойствами. Двумерные материалы могут быть модифицированы с помощью углеродных наночастиц (УНЧ), что дает возможность эффективно контролировать фоторезистивные состояния с помощью света в широком электромагнитном диапазоне. Целью нашей работы было создание фоточувствительных мемристивных планарных структур на основе оксида графена с использованием углеродных наночастиц для контроля фоторезистивного переключения в видимом диапазоне. Последовательность стадий изготовления структур включала: 1) Нанесение золя ОГ на кремниевую (Si/SiO2) подложку методом накапывания на вращающуюся подложку с последующей сушкой. 2) Восстановление ОГ либо аскорбиновой кислотой, либо гидразином в присутствии фторида аммония. Отделение пленки от подложки путем растворения слоя SiO2 в плавиковой кислоте, и ее последующий перенос на измерительную структуру, изготовленную методом фотолитографии. 3) Синтез УНЧ, их диализ и нанесение на пленку восстановленного оксида графена (ВОГ). Полученные наноразмерные, 30-40 нм толщиной пленки были исследованы c помощью КР, ИК и РФЭ спектроскопии, изучена их морфология. На основе этих пленок были изготовлены фоторезистивные структуры и измерены их вольтамперные характеристики (ВАХ)