ИСТИНА

Мемристоры – это двухэлектродные устройства, резистивные состояния которых изменяются при прохождении через них заряда, и эти состояния энергонезависимы. 2D материалы, такие как оксид графена (ОГ), позволяют создавать атомарно-тонкие гетерогенные структуры на основе Ван-дер-Ваальсовых взаимодействий с уникальными электрическими и оптическими свойствами. Двумерные материалы могут быть модифицированы с помощью углеродных наночастиц (УНЧ), что дает возможность эффективно контролировать фоторезистивные состояния с помощью света в широком электромагнитном диапазоне. Целью нашей работы было создание фоточувствительных мемристивных планарных структур на основе оксида графена с использованием углеродных наночастиц для контроля фоторезистивного переключения в видимом диапазоне.