ИСТИНА

Одной из перспективных разработок микроэлектроники являются устройства, основанные на резистивном переключении (РП) – мемристоры. Однако повсеместное внедрение данной технологии пока невозможно из-за некоторых проблем, таких как дороговизна производства, низкая воспроизводимость циклических РП, короткое время хранения резистивных состояний. Возможным материалом для производства мемристоров является поли-пара-ксилилен (PPX) [1]. В данной работе были исследованы характеристики и механизм РП образцов на основе слоя PPX с наночастицами оксида молибдена (PPX-MoO3-х) и разными верхними электродами (медь, платина). Продемонстрирована структура со стабильными РП (рис 1а), с крайне низким разбросом напряжений переключения в низкоомное состояние (дисперсия менее 0.1 В) и с высокой пластичностью (рис 1б) (36 состояний). Установлено, что РП в данных мемристорах происходит по механизму электрохимической металлизации. Работа выполнена при поддержке РНФ (проект №20-79-10185) на оборудовании ресурсных центров (НИЦ «Курчатовский институт»).