ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ФНКЦ РР |
||
В данной работе приведены результаты исследования ростовых дефектов в монокристаллах синтетического алмаза, выращенных методом HPHT при предельно низких значениях температуры и давления (~ 1250°С, ~ 6 ГПа), вблизи линии равновесия алмаз-графит. Данные образцы характеризуются кубооктаэдрическим габитусом с сильно развитыми кубическими гранями {100}. На сегодняшний день монокристаллы алмаза такого типа остаются относительно мало исследованы. Вместе с тем они представляют особенный интерес для промышленности, поскольку могут быть использованы для изготовления полупроводниковых элементов на алмазных подложках.