ИСТИНА

Задачи механики процессов получения бездислокационных монокристаллах кремния являются актуальными и технически значимыми в связи с интенсивным развитием микроэлектроники, которая предъявляет все более высокие требования по минимизации уровня микро- и нанодефектов в пластинах кремния, используемых для изготовления электронных микросхем. Решение этих задач связано с изучением закономерностей термомеханических процессов как на стадии выращивания монокристаллов кремния, так и на последующих термообработках вырезаемых из них пластин. Обсуждаются постановка и решение таких задач применительно к выращиванию бездислокационных монокристаллов кремния большого диаметра методом Чохральского и моделированию дефектообразования в них. Работа выполнена по теме госзадания ИПМех РАН (№ госрегистрации 1021032423943-6-2.3.2).