ИСТИНА

В настоящее время слоистые 2D материалы, такие как графен, оксид графена и др., привлекают большое внимание разработчиков микро- и оптоэлектронных устройств из-за их уникальных химических и физических свойств, необходимых для создания двумерных мемристоров-нового типа логических переключателей и памяти [1, 2].Такие переключающие и запоминающие двухэлектродные устройства энергонезависимы и могут быть встроены в КМОП технологию, существенно улучшив параметры современных интегральных схем. Кроме того, модификация двумерных материалов с помощью наночастиц и квантовых точек может контролировать их фотомемристивные состояния [3, 4], что дает возможность запоминать и обрабатывать как электронные, так и оптические сигналы [5]. Для модификации оксида графена в данной работе было проведено восстановление полученной пленки в гидротермальных условиях гидразином, замещение кислородных групп на фторидные с целью контроля электронной структуры и повышения химической и термической стабильности, а также встраивание в структуру углеродных наночастиц для контроля фоточувствительности полученной структуры в широком диапазоне электромагнитного излучения. Полученные результаты указывают на возможность контроля фотомемристивных состояний в модифицированном оксиде графена в широком диапазоне, длин волн и электрических возбуждений. В изучении механизмов формирования таких фотонаведенных электронных состояний и структурных переходов могут помочь синхротронные исследования методами фотоэлектронной спектроскопии. Работа выполнена при поддержке РНФ, грант №23-49-00159