|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Использование различных потенциалов при МД-моделировании распыления Si-содержащих материаловдоклад на конференции
- Авторы: Воронина Е.Н., Сычева А.А.
- Международная Конференция : 47-я Международная Тулиновская конференция "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами"
- Даты проведения конференции: 30 мая - 1 июня 2017
- Дата доклада: 31 мая 2017
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Сычева А.А.
- Место проведения: Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
В настоящей работе было исследовано влияние выбора потенциала для описания Ar-Si взаимодействия на результаты моделирования процессов распыления. В качестве изучаемых материалов были выбраны кристаллический и аморфный Si, -кварц, аморфный SiO2. В работе представлены рассчитанные значения коэффициентов распыления, проведен анализ дефектов, возникающих в материалах под действием ионов Ar.
- Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
- Добавил в систему: Сычева Анастасия Александровна