![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
В настоящей работе было исследовано влияние выбора потенциала для описания Ar-Si взаимодействия на результаты моделирования процессов распыления. В качестве изучаемых материалов были выбраны кристаллический и аморфный Si, -кварц, аморфный SiO2. В работе представлены рассчитанные значения коэффициентов распыления, проведен анализ дефектов, возникающих в материалах под действием ионов Ar.