ИСТИНА

С учетом постоянного роста хранящейся информации и необходимых мощно- стей для обработки данных разрабатываются новые 2D материалы для нейроморфных вычислений, одним из таких перспективных материалов является оксид графена (GO). Благодаря уникальному свойству к образованию проводящих нитей (филамен- тов) при приложении напряжения, данный материал может быть использован для со- здания мемристоров, энергонезависимых ячеек памяти и даже вычислительных бло- ков. Целью данной работы было произвести модификацию оксида графена путем вос- становления в гидротермальных условиях в присутствии фторид ионов для контроля проводящих свойств оксида графена. Помимо этого решалась проблема переноса вос- становленных пленок на измерительные структуры. Подготовка измерительных структур включала в себя: нанесение золя оксида графена на кремниевую подложку Si/SiO2, термическую обработку, восстановление в гидротермальных условиях в присутствии в качестве восстановителя аскорбиновой кислоты или гидразина и фторид ионов, растворение плавиковой кислотой слоя ок- сида кремния и последующий перенос пленки на измерительные структуры. Морфология полученных пленок, исследованная с помощью РЭМ и ПЭМ, до- казывает сращивание частиц в латеральной плоскости. С помощью методов КР, ИК и РФЭС спектроскопии были проанализированы промежуточные формы восстановле- ния полученных образцов оксида графена, их химический состав, а также важнейшие функциональные группы [1]. Исходя из полученных данных, была предложена схема одностадийного процесса восстановления, фторирования и допирования азотом ок- сида графена (рис. 1). С помощью ВАХ была проанализирована проводимость полученных материа- лов в латеральной и вертикальных геометриях, а также оценен вклад графитизирован- ного азота, который является донорным центром.