![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
В данной работе представлены результаты по разработке физических основ упрощенной технологии получения ВТСП-проводников 2-го поколения методом лазерного осаждения (абляции) на NiW подложки малых размеров. В ходе работы по технлогии RABiTs были изготовлены NiW ленты и проанализированы их свойства, изготовлены мишени для лазерного напыления буферных и ВТСП слоев, отработаны режимы напыления буферных слоев YSZ, CeO2, обеспечивающих рост ВТСП-пленки с высокими электрофизическими параметрами. Были исследованы свойства напыленных золотых контактных слоев, измерены температуры перехода в сверхпроводящее состояние и оценен критический ток магнитным и транспортным способом.