|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Эффект стабилизации микроструктуры и снижения чувствительности к влажности SnO2 и WO3 при модификации аморфным SiO2доклад на конференции
- Автор: Эшмаков Р.С.
- Международная Конференция : Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2025»
- Даты проведения конференции: 15-24 апреля 2025
- Дата доклада: 22 апреля 2025
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Эшмаков Р.С.
- Место проведения: МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия
-
Аннотация доклада:
Рассмотрено влияние аморфного диоксида кремния, вводимого методом гидротермальной обработки, на микроструктуру и сенсорные свойства композитных материалов на основе оксидов вольфрама и олова. Показано, что для стабилизации малого размера частиц полупроводникового оксида прекурсор для ГТ обработки должен быть аморфным. Установлено перераспределение SiO2 между двумя формами: отдельной аморфной фазой и сегрегацией на границах зерен полупроводникового оксида. Выявлено критическое влияние последней на сенсорные характеристики материала.
- Добавил в систему: Эшмаков Родион Сергеевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Программа секции | program_inorganic2-2025_21mar.pdf | 307,4 КБ | 28 апреля 2025 [rudzil] |