Одноэлектронный транзистор на основе одиночных атомов фосфора в кремнии - доклад на конференции | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Авторы: Дагесян С.А., Шорохов В.В., Преснов Д.Е., Снигирёв О.В., Трифонов А.С., Крупенин В.А., Солдатов Е.С.
Всероссийская Конференция : XIII Российская конференция по физике полупроводников
Даты проведения конференции: 1-6 октября 2017
Дата доклада: 4 октября 2017
Тип доклада: Устный
Докладчик: Снигирёв О.В.
Место проведения: Екатеринбург, Russia
Аннотация доклада:
В настоящей работе нами был экспериментально исследован электронный транспорт через одиночные примесные атомы фосфора, внедренные в кристаллическую решётку кремния.

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА