ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ФНКЦ РР |
||
Распределение электронов в молекулах и кристаллах с точки зрения механики сплошных сред можно рассматривать как заряженный упругий электронный континуум, который движется и деформируется под действием поля ядер. В равновесии электронная среда напряжена, силы в системе сбалансированы и соответствующий квантово-механический тензор напряжений несет всю информацию о пространственной организации электронов. Внутреннее давление имеет твердую физическую основу, содержит важную часть этой информации, и это - скалярная функция. В зависимости от типа деформации — сжатия или расширения, распределение электронного давления отражает типичные особенности различных типов химического связывания в кристаллах и молекулах, что позволяет описать связывание в любой электронной многоядерной системе. Кристаллы β-BN и алмаза являются изоэлектронными, β-BN обладает алмазоподобной структурой. Известно, что нитрид бора, уступая алмазу по твердости, имеет некоторые, отличные от алмаза свойства: иную растворяющую способность, теплопроводность, проводимость. Также недавно1 получена наноструктура на основе β-BN, превосходящая алмаз по твердости. В данной работе, исходя из экспериментальной электронной плотности2,3,представленной в виде аналитической структурной модели, следуя4, с помощью программы WinXPRO5, была получена картина распределения внутреннего давления электронов в кристаллах β-BN и алмаза. На основании полученного распределения был проведен сравнительный анализ особенностей химического связывания в данных соединениях. 1.Tian Y. et al. Ultrahard nanotwinned cubic boron nitride //Nature. – 2013. – Т. 493. – №. 7432. – С. 385-388. 2.Eichhorn K. et al. Accurate structure analysis with synchrotron radiation. An application to borazone, cubic BN //Acta Crystallographica Section B: Structural Science. – 1991. – Т. 47. – №. 6. – С. 843-848. 3.Svendsen H. et al. Multipole electron-density modelling of synchrotron powder diffraction data: the case of diamond //Acta Crystallographica Section A: Foundations of Crystallography. – 2010. – Т. 66. – №. 4. – С. 458-469. 4.Tsirelson V.G., Stash A.I., Tokatly I.V. Molecular Physics.-2016. DOI: 10.1080/00268976.2015.1101173. 5.Stash A., Tsirelson V. WinXPRO: a program for calculating crystal and molecular properties using multipole parameters of the electron density //Journal of applied crystallography. – 2002. – Т. 35. – №. 3. – С. 371-373.