![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
В докладе представлен анализ возможностей сканирующей туннельной микроскопии (STM) и бесконтактной атомно-силовой микроскопии (NC-AFM) для исследования электрофизических свойств твердотельных наноструктур на основе кремния. В частности, получено атомарное разрешение для поверхности Si(111)7x7 методом комбинированной STM-NC-AFM микроскопии и модуляционной STM микроскопии, что позволяет исследовать топографию неоднородных об-разцов с различной локальной проводимостью и выполнять туннельную спектроскопию с высоким пространственным и энергетическим разрешением.