ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ФНКЦ РР |
||
Метод Дискретных источников применяется к анализу рассеивающих свойств наноразмерных дефектов подложки. Показано, что имеется существенное отличие надповерхностных от подповерхностных дефектов.