|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Noise characteristics of silicon FET with nanowire channelдоклад на конференции
- Авторы: Presnov D.E., Sapkov I.V., Krupenin V.A., Rjevskiy A.V., Bojiev I.V.
- Международная Конференция : International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2014” (ICMNE-2014)
- Даты проведения конференции: 2014
- Дата доклада: 9 октября 2014
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Sapkov I.V.
- Место проведения: “Ershovo” resort, Zvenigorod, Moscow Region, Russia, Russia
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич