|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Метод детектирования протяженных поверхностных состояний в кристаллических топологических изоляторах Pb1-xSnxSe с помощью лазерного терагерцового излучениядоклад на конференции
- Авторы: Егорова С.Г., Черничкин В.И., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р., Яшина Л.В., Данилов С.Н., Ганичев С.Д., Скипетров Е.П.
- Международная Конференция (Симпозиум) : XIX международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
- Даты проведения конференции: 10-14 марта 2015
- Дата доклада: 12 марта 2015
- Тип доклада: Приглашенный
- Докладчик: Хохлов Д.Р.
- Место проведения: Нижний Новгород, Russia
-
Аннотация доклада:
В работе предложен метод детектирования протяженных поверхностных электронных состояний, включая топологиче-ские. Метод основан на измерениях фотоэлектромагнитного эффекта с использованием импульсного терагерцового лазерного излучения. В отличие от обычных транспортных измерений, метод нечувствителен к объемной проводимо-сти. Метод продемонстрирован на примере кристаллических топологических изоляторов Pb1-xSnxSe. Показано, что про-тяженные поверхностные электронные состояния присутствуют в Pb1-xSnxSe как в области прямого, так и инверсного энергетического спектра
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович