ИСТИНА

Оксиды переходных металлов обладают уникальными физико-химическими свойствами, которые определяются особенностями кристаллической и электронной структур этих соединений. Для большинства оксидов переходных металлов характерны электронные неустойчивости, такие как фазовые переходы металл-изолятор (ПМИ) и эффекты переключения. Несмотря на обилие экспериментальных и теоретических данных, по-прежнему остается дискуссионным вопрос о том, что является движущей силой фазового перехода в VO2. На протяжении многих десятилетий упомянутый фазовый переход в диоксиде ванадия не перестает привлекать внимание исследователей, что обусловлено как фундаментальной, так и прикладной значимостью данного направления. Большинство методов нанесения пленок ОПМ, применяемых в настоящее время (например, магнетронное распыление, электронно-лучевое испарение, лазерная абляция, плазменное оксидирование и др.) являются высокотемпературными, что не позволяет использовать их для гибких полимерных или стеклянных подложек. Кроме того, они не дают возможности получать пленки большой площади. Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) позволяет реализовать процесс получения пленок менее энергозатратным и дорогостоящим способом. Весьма перспективным оксидным материалом, способным выступать в качестве буферного слоя между металлической лентой и пленкой VO2, является YSZ (ZrO2, стабилизированный Y2O3), способный образовывать эпитаксиальные пленки на текстурированных подложках. Его кубическая элементарная ячейка имеет хорошее эпитаксиальное соотношение с Y2O3, на котором, в свою очередь, VO2 также образует эпитаксиальные пленки. В ходе работы был синтезирован гексафторацетилацетонат ванадила – прекурсор пленок VO2. Проведены эксперименты по химическому осаждению из газовой фазы тонких пленок VO2 на монокристаллические подложки сапфира и YSZ. Полученные образцы пленок YSZ были проанализированы с помощью рентгено-дифракционного анализа (2θ/ω-сканирование, φ-сканирование) и сканирующей электронной микроскопии. Получены тонкопленочные гетероструктуры VO2/Y2O3/YSZ/MgO и VO2/YSZ/MgO. Проведена характеристика полученных пленочных материалов совокупностью физико–химических методов анализа с целью определения их состава (РФА), кристаллического совершенства (методы рентгеновской дифракции), морфологии (СЭМ). Изучены электрические свойства полученных пленочных материалов на основе диоксида ванадия.