|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Химическое газофазное осаждение длинномерных биаксиально-текстурированных пленок диоксида ванадия - материала с переходом диэлектрик-металлдипломная работа (Бакалавр)
- Научные руководители: Макаревич А.М., Чепиков В.Н.
- Автор: Лелюк Д.П.,
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2015
- Аннотация: Целью данной работы является химическое осаждение длинномерных биаксиально текстурированных пленок диоксида ванадия методом MOCVD на гетероструктуры Y2O3/YSZ/MgO/Hastelloy и YSZ/MgO/Hastelloy. В результате работы получены следующие результаты: 1. Синтезирован гексафторацетилацетонат ванадила – летучий прекурсор для получения пленок VO2 методом MOCVD. 2. Получены тонкие пленки диоксида ванадия на монокристаллических подложках (001)YSZ, обладающие биаксиальной текстурой с тремя вариантами роста. 3. Для получения биаксиально текстурированных пленок Y2O3/YSZ/MgO/Hastelloy и YSZ/MgO(IBAD)/Hastelloy установлены следующие оптимальные условия нанесения: толщина слоя YSZ (>30 нм), температура (750 С) и время отжига слоя MgO (>15 мин). 4. Получены биаксиально ориентированные пленки диоксида ванадия на лентах YSZ/MgO/Hastelloy и Y2O3/YSZ/MgO/Hastelloy. Изучение транспортных свойств полученных пленочных материалов на основе диоксида ванадия показало, что введение дополнительного буферного слоя Y2O3 после YSZ улучшает транспортные свойства диоксида ванадия, что связано с меньшим углом разориентации ячеек VO2 и Y2O3 относительно друг друга. Установлено, что в процессе осаждения пленок диоксида ванадия из паров гексафторацетилацетоната происходит образование промежуточного слоя оксофторида иттрия. 5. Полученные материалы VO2/Y2O3/YSZ/MgO/Hastelloy демонстрируют переход диэлектрик-металл с величиной изменения сопротивления около 1000 раз при температуре 55 С.
- Добавил в систему: Макаревич Артем Михайлович