Аннотация:Бакалаврская работа посвящена исследованиям взаимодействия терагерцового излучения с топологическими изоляторами на основе халькогенидов висмута и сурьмы. Актуальность темы обусловлена как фундаментальным интересом научного сообщества к топологическим изоляторам, так и к созданию на их основе новых устройств спинтроники, квантовой информации, а также источников и детекторов терагерцового излучения. Одной из основных проблем при исследовании топологических изоляторов является разделение вклада в электропроводность тонкого поверхностного слоя от объемного вклада. Изучению транспортных свойств поверхностных состояний посвящено много работ. В этом аспекте топологические изоляторы четверных составов Bi2-xSbxTe3-ySey представляются очень перспективными объектами для исследования, поскольку в этих соединениях объемный транспорт может быть подавлен, а поверхностный транспорт более выражен. Методом терагерцовой спектроскопии временного разрешения исследуются образцы топологических изоляторов различной толщины и химического состава. В работе впервые удалось продемонстрировать уменьшение вклада объемных носителей в проводимость в терагерцовом диапазоне при приближении к «кривой Рена», последовательно описать этот эффект, и, тем самым, охарактеризовать исследуемые образцы. Также в бакалаврской работе удалось получить численную оценку вклада краевых поверхностных состояний в проводимость образцов при комнатной температуре.