|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ ГРАНАТА Lu3Fe5O12: ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, СТРУКТУРА И ФЕРРИМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНСдипломная работа (Магистр)
- Научный руководитель: Маркелова Мария Николаевна
- Автор: Хафизов А.А.
- Тип: Магистр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2024
- Аннотация: Успехи, достигнутые в последнее десятилетие в развитии новых направлений современной электроники – спинтроники и магноники, а также сенсорики, энергосберегающих устройств и многого другого, базируются на разработке и применении новых материалов, в том числе сочетающих в себе несколько функциональных свойств. Одной из главных тенденций современной инженерии является миниатюризация электронных устройств, именно поэтому особый интерес уделяется получению и внедрению в производство многофункциональных материалов в форме тонких пленок. Это направление разработок особенно актуально применительно к материалам спинтроники и магноники, использующих в качестве основного материала ферримагнитные материалы со структурой граната в виде ультратонких (от единиц до десятков нанометров) эпитаксиальных пленок. Для получения таких тонких пленок не может быть использован метод жидкофазной эпитаксии, долгое время являвшийся наиболее популярным методом синтеза гранатов (толщины получаемых пленок при это составляют единицы микрометров), поэтому требуются новые технологические подходы и серьезные усилия химиков-материаловедов по их развитию. Одним из перспективных методов синтеза тонких эпитаксиальных пленок является метод химического осаждения из газовой фазы с использованием металлорганических прекурсоров (MOCVD). Для создания устройств спинтроники необходимы пленки гранатов с узкой полосой ферромагнитного резонанса (ФМР). Для некоторых составов феррогранатов линия ФМР составляет единицы эрстед (например, для Y3Fe5O12), тогда как для других составов линия уширяется. В то же время среди гранатов, редкоземельные элементы (РЗЭ) имеются составы, обладающие большой намагниченностью насыщения (например, Lu3Fe5O12), что также благоприятно для работы спиновых устройств. Возможность получения тонких пленок Lu3Fe5O12 с узкой линией ФМР стала бы значительным достижением на пути расширения арсенала материалов спинтроники, однако для этого необходимо понять природу уширения линии ФМР, которая до сих пор не вполне известна. Целью работы являлся синтез эпитаксиальных тонких пленок Lu3Fe5O12 методом MOCVD для применения в качестве спинтронных устройств и выявление фундаментальных факторов, влияющих на ширину линии ферримагнитного резонанса.
- Добавил в систему: Маркелова Мария Николаевна