Аннотация:В работе показано:
1. при имплантации ионов кремния в матрицы SiO2 и SiC наблюдаемые ФЛ характеристики свидетельствуют о проявлении квантово-размерного эффекта при образовании нанокристаллов кремния и карбида кремния.
2. при ионной имплантации кремния Si+ образуются нанокластеры Si и SiC, ответственные за высокую интенсивность ФЛ.