|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Оптоэлектронные свойства кремниевых наноструктур, созданных ионной имплантациейдипломная работа (Специалист)
- Научные руководители: Патракеев А.С., Черныш В.С.
- Автор: Османова Д.Э.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2012
- Аннотация: В работе показано: 1. при имплантации ионов кремния в матрицы SiO2 и SiC наблюдаемые ФЛ характеристики свидетельствуют о проявлении квантово-размерного эффекта при образовании нанокристаллов кремния и карбида кремния. 2. при ионной имплантации кремния Si+ образуются нанокластеры Si и SiC, ответственные за высокую интенсивность ФЛ.
- Добавил в систему: Черныш Владимир Савельевич