|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Спонтанное и когерентное излучение в арсенид - галлиевых p-n- переходах, полученных диффузией бериллиядиссертация
- Научные руководители: Валяшко Е.Г., Юнович А.Э.
- Автор: Полторацкий Эдуард Алексеевич
- Дата защиты: 12 мая 1966 года
- Шифр диссертационного совета: К 053.05.20 при МГУ им. М.В. Ломоносова
- Организация: МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
- Область знаний: Физика и математика
- Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников
- Тип диссертации: Кандидатская
- Ведущая организация: Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе АН СССР
- Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
- Оппоненты: Стафеев В.И.
-
Аннотация:
Исследовано спонтанное и когерентное излучение в p-n- переходах из арсенида галлия, полученных диффузией бериллия, GaAs:Be. Показано, что Be ведет себя как мелкий акцептор. Вероятность излучательной рекомбинации в р-GaAs:Be велика, сравнима с вероятностью рекомбинации в р- GaAs:Zn. Определены параметры диффузии Be, необходимые для создания p-n- переходов. Исследованы их электрические свойства и люминесцентные свойства. Показана существенная роль туннельной рекомбинации при малых токах. Созданы инжекционные лазеры на основе p-n- переходов в GaAs:Be.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович