ИСТИНА

Исследованы электрические свойства - кристаллов арсенида галлия, p-GaAs, имеющих удельное сопротивление > 10 5 Ом.см при комнатной температуре. Исследованы электропроводность, эффект Холла, фотопроводимоть и термостимулированные токи в полуизолирующем GaAs. Разработаны омические контакты к этому материалу. Показано, что температурная зависимость электрических свойств определяется глубокими акцепторными уровнями, концентрация дырок в исследованных образцах GaAs 10 8 - 10 12 см -3, на 5-8 порядков меньше концентрации примесей. Изучена фотопроводимость в интервале до энергий фотонов около 0.8 эВ, опрределяемая глубокими уровнями. Зависимость термостимулированных токов от Т описана теорией. Обнаружены электрические неустойчивости при больших полях, связанные с N- образной вольтамперной характеристикой.