ИСТИНА

Цель диссертационной работы заключалась в разработке физико-химических основ методов управления свойствами халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) путем их модифицирования с помощью введения малых добавок электрически и оптически активных примесей (элементов и химических соединений), а также применяя различные неразрушающие внешние воздействия (магнитные и электрические поля, свет, ультразвук слабой мощности). Решение данной задачи потребовало комплексного подхода, включающего в себя как разработку новых методов синтеза и получения ХСП, так и создание оригинальных экспериментальных методик исследований стеклообразных материалов. Для достижения поставленной цели решались следующие конкретные задачи: - Исследование системы Se-Те в области малых добавок теллура и выяснение роли изоэлектронных элементов в процессах модифицирования. Проведение физико-химического анализа путем изучения концентрационных зависимостей структурночувствительных свойств, исследование процессов вязкого течения в интервале температур соответствующих метастабильной жидкости. Изучение оптических спектров и рентгеновских спектров в диапазоне энергий, соответствующем К - серии, установление корреляционных зависимостей «свойство - состав - структура». - Исследование структурных изменений в системах As-Se и As-S при модифицировании кислородом путем изучения рентгеновских спектров и динамики изменения параметра относительной интегральной интенсивности последней эмиссионной линии (ОИИ ПЭЛ) со временем. Изучение перехода «стекло-кристалл» при изотермической кристаллизации. Исследование в системе As-Se переходов, соответствующих изменению жесткости матрицы стекла, методом ОИИ ПЭЛ. - Исследование тонкопленочных аморфных структур состава As2X3 (X=S, Se) при модифицировании редкоземельными элементами (РЗЭ), полученных в результате совместного осаждения в вакууме летучих комплексных соединений редкоземельных элементов (КС РЗЭ) и ХСП. Разработка экспериментальных условий для получения аморфных пленок, установление корреляций «свойство - состав», выяснение роли ионов-комплексообразователей и лигандов в процессах направленного изменения свойств. - Исследование влияния внешнего постоянного магнитного поля (МП) на процессы атомного транспорта в стеклообразном Se: вязкое течение и кристаллизацию. Влияние внешнего переменного МП на вязкое течение селена. Влияние постоянного электрического поля на процесс вязкого течения селена. - Изучение эффекта электропоглощения в ХСП состава GeS2 и его изменения при облучении внешним сильнопоглощаемым светом. Квантово-химические моделирование гипервалентных конфигураций в дисульфиде германия. - Исследование влияния ультразвукового излучения слабой мощности на ХСП состава As2S3. Квантово-химические моделирование гипервалентных конфигураций в сульфиде мышьяка. - Применение метода спиннингирования расплава для расширения областей стеклообразования систем As-Te и Sb-Bi-S и получение новых ХСП, перспективных для устройств записи информации. Изучение кристаллизационных и электрических характеристик некристаллических слоев.