ИСТИНА

1. Разработана лабораторная методика получения многослойной (4 слоя) интегрированной системы планарных тонкопленочных (до 15 нм) наноэлектродов с характерным размером 50 нм с предельно малыми зазорами (менее 5 нм) между ними. Данная методика позволяет создавать интерфейсы к одиночным молекулам или наночастицам и строить на их основе элементарные цифровые наноустройства. 2. Разработана и создана экспериментальная установка, позволяющая обеспечивать контроль над процессом разрыва тонкопленочных нанопроводов в ходе электромиграции за счет малого времени обратной связи (20 мкс) и проводить измерения с высокой чувствительностью (ток до 100 фА) для исследования электронного транспорта через сверхвысокоомные наноструктуры на основе одиночных молекул или наночастиц. 3. Предложена и разработана прецизионная методика и определен диапазон параметров для управляемого проведения электромиграции в нанопроводах, что позволило обеспечить контролируемое серийное формирование малых (менее 5 нм) зазоров с выходом годных более 75 %, пригодное для статистического анализа полученных результатов. Показано ступенчатое изменение проводимости (разрушение одиночных квантовых каналов проводимости) пленки на последнем этапе проведения процесса электромиграции. 4. Предложен способ иммобилизации малых (2 - 3 нм) наночастиц золота в нанозазор (3 - 5 нм), позволяющий получать наноструктуры молекулярного масштаба (например, нанотранзисторы) с выходом годных образцов более 50%. При этом для обеспечения возможности наблюдения наночастиц была разработана технология и определены параметры получения атомарно гладких поверхностей (с шероховатостью 0.2 нм на площадях с размерами до 50 - 100 нм) золотых пленок. 5. Экспериментально исследован транспорт электронов через разнообразные системы на основе наночастиц, в том числе через цепочки наночастиц и одиночные наночастицы. Исследованы транспортные характеристики полученной наноструктуры молекулярного масштаба: наноэлектрод-наночастица золота (2 - 3 нм) - наноэлектрод. Показано, что в такой структуре при комнатной (300 К) температуре наблюдается коррелированный транспорт электронов.