|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Nonvolatile memory device using the resistive switching of graphene oxide and the fabrication method thereof патент
- Авторы: Lee S.W., Kang T.W., Panin G.N., Kapitanova O.O.
- Номер: 10-2011-0012801
- Дата публикации патента: 22 июня 2012 г.
- Добавил в систему: Капитанова Олеся Олеговна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | GO_memory_Korean_patent.pdf | 940,9 КБ | 10 июля 2015 [olesya] |