Способ изготовления одноэлектронных одноатомных транзисторов с открытым каналом транзистора и транзистор, изготовленный таким способом - патент | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Авторы: Божьев Иван Вячеславович, Преснов Денис Евгеньевич, Крупенин Владимир Александрович, Снигирев Олег Васильевич, Шорохов Владислав Владимирович, Дагесян Саркис Арменакович
Номер: 2694155
Дата публикации патента: 9 июля 2019 г.
Реферат (описание изобретения):
Настоящее изобретение относится к нанотехнологиям, а именно к технологиям изготовления одноэлектронных транзисторов с островом в виде единичных атомов в кристаллической решетке.

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА