ИСТИНА

1. Способ определения электрофизических параметров неравновесных носителей заряда в подложках диодных структур р+ (п+) типа, включающий освещение со стороны р+ (п+) слоя модулированным по интенсивности с частотой f световым потоком, коэффициент поглощения которого α1 удовлетворяет условию α1L<1, где L –диффузионная длина неравновесных носителей заряда, измерение переменной составляющей интенсивности Р1 падающего светового потока, определение на переменном токе коэффициента собирания Q1 и расчет по нему электрофизических параметров, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности, достоверности и информативности способа, р+ (п+) слой дополнительно освещают световым потоком, интенсивность Р2 которого промодулирована с той же частотой f, а коэффициент поглощения света α2 удовлетворяет условиям dc < α2-1 < L, где dc - толщина р+ (п+)-слоя, осуществляют компенсацию осуществляют компенсацию переменных фототоков, причем для частот модуляции f<f0 , где f0 << 1/(2πτ), τ – время жизни неравновесных носителей заряда, компенсацию осуществляют путем подбора отношения переменных составляющих интенсивностей Р1/Р2, промодулированных в противофазе, дополнительно измеряют интенсивность Р2, определяют на переменном токе отношение коэффициентов собирания Q1/Q2, по которому вычисляют L, затем на частотах модуляции f > f0 компенсацию осуществляют дополнительно подбором сдвига фаз ϕ модуляций световых потоков, измеряют ϕ или зависимость Р1/Р2 от f, по которым вычисляют τ, и по найденным L и τ определяют коэффициент диффузии неравновесных носителей заряда. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что с целью осуществления возможности измерений на структуре без контактов, структуру помещают между обкладками конденсатора, прозрачными для обоих световых потоков, причем о компенсации переменных фототоков судят по отсутствию переменной фотоЭДС на конденсаторе.