ИСТИНА

Использование в контрольно-измерительной технике, в частности в устройствах для измерения и контроля параметров пленок и микросхем в электронике, магнитооптике, оптоэлектронике, а также в производстве полупроводниковых, пленочных и гибридных микросхем. Сущность изобретения: для измерения параметров используют явление генерации второй гармоники (ВГ) при отражении лазерного излучения от контролируемой поверхности, обладающей высокой чувствительностью к кристаллографической структуре приповерхностных слоев и физико-химическим процессам в нем. Способ предусматривает измерение зависимости отношения интенсивностей рассеянного излучения на основной частоте и частоте ВГ от угла поворота подложки и при ее перемещении с последующим сравнением полученных данных с эталонным образцом.